第一百八十三章：制备碳化硅晶体管(2/2)
然后用毛刷粘上融化后的石蜡在粗制的碳化硅晶材上刷上薄薄的一层。
等待晶材表面的石蜡冷却凝固后，再用小刻刀将需要侵蚀的部分上的石蜡清理干净，露出里面的碳化硅。
最后再刷上一层之前就制备好的氢氟酸，等待半个小时左右。
漫长的时间中，氢氟酸会将没有石蜡保护部分的碳化硅中的硅分子腐蚀掉，方便后续铝离子的嵌入以及极点的镶嵌。
这种做法，是他理解原始晶体管以及集成电路制备方法后结合定下来的。
虽然他现在没有光刻机，也暂时没法制造集成晶体板。
但这并不代表他不能使用集成晶体的制造方式来制造碳化硅晶体管。
相对比原始晶体管，这种方式制备的碳化硅半导体晶体管体积更小，也更加稳定。
而且因为应用了集成电路的侵蚀镀刻，在功率、响应效率和使用寿命上也更加强大。
如果说原始的晶体管需要五千颗才能达到每秒百万次的运算量的话。
那这种碳化硅晶材加特殊手法制备的晶体管大概两千多颗就够了。
虽然数量上还是很庞大，但相对比电子管动辄百万颗的数量来说，两千颗晶体管已经很少了。
等待了三十分钟，韩元将被侵蚀的差不多的碳化硅晶材用清水清晰干净，然后再重复几次这个步骤。
氢氟酸虽然能侵蚀碳化硅，但需要多次重复侵蚀才能达到他的要求。
需要的时间自然就很漫长了。
耗费了一上午的时间，三十颗粗加工的碳化硅晶材才处理完成。
这些晶材依旧使用功能的不同，形状不同，被侵蚀的部位也不同，而且需要侵蚀的程度也不同。
处理好这些碳化硅晶材后，韩元先弄了点午餐，吃完后就立刻回到了实验室，并没有按照以前的方式休息一会。
他现在想尽快完成这个二级任务。
回到化学实验室，韩元从储物间中取出来硫酸、硝酸等一些下午需要用材料。
“昨天我跟大家讲过了，三晶体管一共有三层，每一层的物质组成结构和作用都不同。”
“上午我处理好的碳化硅晶材，就是一层，也是碳化硅晶体管的主体。”
“而现在，我要来给主体来添加另外两层极点了。”
“这次我制备的晶体管，从功能上来说，属于信号放大晶体管。”
“所以我需要按照昨天讲解的方式，给他添上N-漂移层和P阱，来起到聚集电子和放大电信号的作用。”
“至于材料，N-漂移层和昨天讲解一样，用的是铝，不过并非是简单的用铝包裹一层。”
“而是需要将铝制备成铝离子，然后注入到上午侵蚀出来的沟槽中，从而形成稳定的N-漂移层。”
“所以我现在需要先将铝离子制备出来。”
一边讲解，韩元一边动手处理材料。
铝离子的制备对已经掌握了初级化工应用知识信息的他来说很简单。
用硫酸盐或者氯盐在强氧化剂的保护下就可以制备出来。
而且制备出来的铝离子含量还相当高，足够他用来制造晶体管中的N-漂移层了。